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二硫化钼助推下一代纳米电子器件开发

作者: 发布时间:2017-02-04 浏览次数:294
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二硫化钼助推下一代纳米电子器件开发

据报道,2016年7月4日,英国牛津仪器公司利用其纳米实验室纳米级生长系统正式启动了二维二硫化钼生长工艺研究。

二维硫化钼(单层二硫化钼)是一种直接带隙半导体材料,在光电领域具有广泛的应用,如发光二级光、光伏电池、光探测器、生物传感器等

牛津仪器公司对化学气相淀积工艺进行了优化,开发了纳米实验室系统,这一系统能够处理广泛领域的液态/固态/金属-有机材料,十分适用于二维材料生长。该系统能够提供在蓝宝石、原子层淀积铝(氧化铝和氧化硅)等各种衬底上生长的能力,也能够淀积硫化钨、二硫化钼等二维过渡金属硫化物。拉曼分析表明了单层材料的高品质,原子力显微镜表明了薄膜的平滑和一致性。该公司期待二维材料生长工艺的开发,将推动下一代纳米电子器件的开发。


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